氮化硅發(fā)熱體蒸發(fā)源是用來(lái)加熱膜材使之氣化蒸發(fā)的裝置。目前所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱，電子束加熱，感應(yīng)加熱，電弧加熱和激光加熱等多種形式。電阻加熱式蒸發(fā)源的發(fā)熱材料一般選用w、mo、ta、nb等高熔點(diǎn)金屬，ni、ni-cr合金。把它們加工成各種合適的形狀，在其上盛裝待蒸發(fā)的膜材。一般采用大電流通過(guò)蒸發(fā)源使之發(fā)熱，對(duì)膜材直接加熱蒸發(fā)，或把膜材放入石墨及某些耐高溫的金屬氧化物（如al2o3，beo）等材料制成的坩堝中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。電阻加熱蒸發(fā)裝置結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，成本低，操作簡(jiǎn)便，應(yīng)用普遍。

電阻加熱蒸發(fā)源材料需具有以下特點(diǎn):

①氮化硅發(fā)熱體高熔點(diǎn)

必須高于待蒸發(fā)膜材的熔點(diǎn)（常用膜材熔點(diǎn)1000～2000℃）。

②低的飽和蒸氣壓

保證足夠低的自蒸發(fā)量，不至于影響系統(tǒng)真空度和污染膜層。

③氮化硅發(fā)熱體化學(xué)性能穩(wěn)定

在高溫下不應(yīng)與膜材發(fā)生反應(yīng)，生成化合物或合金化。

各種蒸發(fā)源材料的熔點(diǎn)和相應(yīng)飽和蒸氣壓的溫度列出了各種蒸發(fā)源材料的熔點(diǎn)和相應(yīng)飽氣壓的溫度。其中鎢在加熱到蒸發(fā)溫度時(shí)，會(huì)因加熱結(jié)晶而變脆；鉭不會(huì)變脆；鉬則會(huì)因純度不同而不同，有的會(huì)變脆，有的則不會(huì)變脆。鎢和水汽起反應(yīng)，會(huì)形成揮發(fā)性氧化物wo3，因此鎢在殘余水汽中加熱時(shí)，加熱材料會(huì)不斷受到損耗。殘余氣體壓力較低時(shí)，雖然材料損耗并不多，但是它對(duì)膜的污染是較嚴(yán)重的。耐高溫的金屬氧化物如鋁土、鎂土作為蒸發(fā)源材料時(shí)，它們不能直接通電加熱而只能采用間接的加熱方法。